& n) e3 a$ I' r9 \2 _# U英飞凌氮化镓业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示： # n& z, y, k d* C i, w; o7 I" G0 n# m6 d6 N% ^0 B- _ l5 j
英飞凌全面扩大的 300mm GaN 生产规模将帮助我们更快地为客户提供更高价值的产品，同时推动实现 Si 和 GaN 同类产品的成本持平。) t6 {: T. m8 C1 E
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在英飞凌宣布突破 300mm GaN 晶圆技术近一年后，我们很高兴看到我们的过渡进程进展顺利，并且业界已经认识到英飞凌 GaN 技术在我们的 IDM 战略优势下所发挥的重要作用。 ! g0 d j+ w1 v# z. y; k9 y0 g# ~& b
