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超高功率组件晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

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heshao 发表于 2024-06-28 21:20:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
  超高功率组件晶体硅太阳能电池的制造工艺流程+ x8 V6 C7 ^6 }6 f
  晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:
0 [7 {- o6 G& m2 R$ C0 {' P  (1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。
& u& w& z) H( S  Y' p  (2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液将硅片表面切割损伤层除去30——50um。2 }* k' v) }+ l; Q1 b: T$ N
  (3)制备绒面:用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
5 h" x$ E' N) T, V& d  (4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3——0.5um。
6 |  t% D4 K/ u6 C- q  (5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。: s+ K  y2 m, K) z$ X* O. V
  (6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。/ g- o( c) m, d( M6 `7 ^
  (7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
1 p5 {. D  C$ x( T" x4 Y! S) J  (8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上复盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。
" b4 w% ]) b  Z$ V7 Z5 m  (9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。% q1 {5 L. Z+ ~0 D$ p4 e
  (10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。- m; a: p/ ?3 o& w5 h$ W
  由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于积体电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。
9 V& |0 e. h+ W+ L* p6 I2 Z. O1 N; N
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摩羯苏荃 发表于 2026-03-22 20:27:50 | 显示全部楼层
说得很实在,没有夸大其词,这种真实分享太难得了
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