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超高功率组件晶体硅太阳能电池的制造工艺流程

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heshao 发表于 2024-06-28 21:20:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
  超高功率组件晶体硅太阳能电池的制造工艺流程4 @6 v* K6 K' B) {" E% v- P
  晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明如下:
* m2 N% d6 c0 @( [& D+ E  (1)切片:采用多线切割,将硅棒切割成正方形的硅片。
4 C$ O3 N+ n2 w, k* O  (2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗,然后用酸(或堿)溶液将硅片表面切割损伤层除去30——50um。- [2 w- g  f! z6 b1 n  q
  (3)制备绒面:用堿溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
' C# a5 H- ^$ ?; X) L  (4)磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散,制成PN+结,结深一般为0.3——0.5um。
! p% b0 W" R6 j6 x: E  (5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层,会使电池上下电极短路,用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
7 m) V0 _/ {) N6 G. p  (6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。0 @; n0 U1 A" \7 u0 t: `; U
  (7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极,然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。2 w% Y) C* |4 v# j
  (8)制作减反射膜:为了减少入反射损失,要在硅片表面上复盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ,SiO2 ,Al2O3 ,SiO ,Si3N4 ,TiO2 ,Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。: q# d  k8 B6 r/ w, ^+ v
  (9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。
, L  s; D& F  i) o8 j5 s( T7 F  (10)测试分档:按规定参数规范,测试分类。* H+ z' y6 l5 R! a( h6 J* _$ _
  由此可见,太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同,生产的工艺设备也基本相同,但工艺加工精度远低于积体电路芯片的制造要求,这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。3 M. e; ]  ~8 p

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摩羯苏荃 发表于 2026-03-22 20:27:50 | 显示全部楼层
说得很实在,没有夸大其词,这种真实分享太难得了
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钱,你在乎吗? 发表于 2026-08-04 22:56:12 | 显示全部楼层
楼主辛苦了,整理这么多内容,必须点赞收藏
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我爱MM 发表于 2026-08-23 20:04:14 | 显示全部楼层
蹲了这么久,终于看到有价值的讨论,支持一下!
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