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RD（Read Disturb）在工业级闪存中的意义

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heshao 发表于 2024-03-12 11:03:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
　　对于工业级闪存来说，就没有电子穿越不了的全缘材料。绝缘氧化层把存储在浮栅极的电子关在里面，可是，随着时间的转移，有许多电子会从里面跑出来。如果跑出来的电子达到一定数量时，必然会使存储单元的比特发生翻转：5 g! Y% W# T; B9 ]( g
- m  w" E6 D: _( t) W1 R. P
　　闪存产品
$ W) |" A1 z' G/ B
6 d3 T2 i  x' {# p! x　　0→1(注意，RD是使1翻转为0)，如果出错比特数超出ECC的纠错能力，那么数据即将丢失。这就可以解释为什么你的固态硬盘如果很长时间不用，可能就启动不了亦或启动很慢(因为固件需要处理由于RD引起的数据错误)的现象了。
% C4 |- B% v$ m' s, z
% I! R/ U; H: L( x　　那么问题来了，为什么SSD长久不用数据就会丢失，而经常使用却不会呢?原因是FW或者FTL起了作用了。针对DR这个问题，稍微好一点的SSD，FTL都会有正确的处理。如何处理呢?FTL在SSD上电或者平时运行时，每隔一段时间对闪存空间进行扫描，当发现比特翻转超出一定阈值时，跟RD处理一样，进行数据刷新，这样就能避免数据彻底丢失。
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　　安全锁
# J& E8 O, C; x' _4 e& @, k6 ~/ X( g& @9 q
　　假如SSD一直不上电，FTL根本就没有机会去执行这些操作，只能眼巴巴地看着电子流失而无能为力。, \3 v2 D3 }7 t: B2 ^8 u
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