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RD（Read Disturb）在工业级闪存中的意义

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heshao 发表于 2024-03-12 11:03:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
　　对于工业级闪存来说，就没有电子穿越不了的全缘材料。绝缘氧化层把存储在浮栅极的电子关在里面，可是，随着时间的转移，有许多电子会从里面跑出来。如果跑出来的电子达到一定数量时，必然会使存储单元的比特发生翻转：
$ ]( H& u5 b2 R
) b1 Q& x3 ~6 u) `% ?% I* z　　闪存产品
6 I0 q8 g! O- Q# d6 b9 n2 O/ h( V. m& O/ J8 _& x+ O
　　0→1(注意，RD是使1翻转为0)，如果出错比特数超出ECC的纠错能力，那么数据即将丢失。这就可以解释为什么你的固态硬盘如果很长时间不用，可能就启动不了亦或启动很慢(因为固件需要处理由于RD引起的数据错误)的现象了。
$ [4 @. ~. y! B
! o3 Z2 f: W1 l　　那么问题来了，为什么SSD长久不用数据就会丢失，而经常使用却不会呢?原因是FW或者FTL起了作用了。针对DR这个问题，稍微好一点的SSD，FTL都会有正确的处理。如何处理呢?FTL在SSD上电或者平时运行时，每隔一段时间对闪存空间进行扫描，当发现比特翻转超出一定阈值时，跟RD处理一样，进行数据刷新，这样就能避免数据彻底丢失。) a& o* m3 N) U( i& b0 R; {  F( T' x) [

7 h/ L/ k8 Q, k0 u$ v: U　　安全锁% o  b& f- `8 R; g
# |! N( X; a; D' E4 v& A. M
　　假如SSD一直不上电，FTL根本就没有机会去执行这些操作，只能眼巴巴地看着电子流失而无能为力。7 j0 {2 E8 x3 w$ B: c

) V& J7 x/ p- q  M5 }! q
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