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SiC器件
1 Z- x" C$ u! }' a. h# o8 c SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
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在众多半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿电场、高电子饱和漂移速度和高电子迁移率等优异特性，因此碳化硅半导体器件是目前综合性能最好的半导体器件之一。& }0 ]' ^, }% l9 x: ?
& S6 e+ Z6 R4 f) B( J5 k 碳化硅器件因其优越的电学特性在航空航天领域得到广泛应用，但要使其具备商用价值，则必须解决以下几个关键问题：
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1 F4 Y7 ?' r: e* W; R •低导通电阻：在同样功率下的碳化硅场效应晶体管比同等尺寸的硅器件小约一半；8 k) n S# M3 s Y
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•低噪声：由于碳化硅场效应晶体管的高频噪声比传统硅低2个数量级，因此能够满足未来更高分辨率和更小尺寸对超高分辨率和更高频率要求。
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$ t# ~8 c2 w7 T' ]% y2 _; U+ { •超高耐压能力：在相同条件下，碳化硅晶体管可承受更高的电压波动范围；
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. M+ o5 t+ L8 [/ T5 p •高效散热设计原则：当工作在高温或高频时，碳化硅场效应器件散热能力最强；
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