|
|
氮化镓晶体管
: D; O6 N# _2 t. X7 m# [ x, ]
/ s& x" T1 v8 s 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。
# N" d& p4 k( U9 P# [6 P& \* S' S+ @6 |" y' j! _! M5 z" P; [! h* Q
但对于氮化镓，很多人只是有个模糊的概念，对于它实现小体积大功率背后的原理、以及为何能改变多行业格局其实并不清楚。
- v3 r `) s5 w% O: C4 U7 X N- h& _. p. S2 f
氮化镓有何优势?
) P. A5 Y6 N# z8 Q; O' X6 i4 z4 V e
由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。
; G5 u: I5 h, [0 v5 x( X: O( F/ r- Y p$ U
禁带宽度大(3.4eV)，热导率高(1.3W/cm-K)，则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强。/ m4 C, C/ l+ P: C' w
! }* M$ Q. H7 e( |
氮化镓易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，而且GaN晶格对称性比较低，具有很强的压电性和铁电性。8 ]- n2 q0 J6 l$ g
2 ]2 m+ @( }, `, ` 由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。4 [+ X/ o1 O& I' m3 L# N
0 N/ | |5 w9 L' D; p* H, ~
什么是氮化镓技术原理?
7 n# m" {; p0 j, t! L: [# _$ n
; a) S( z/ l; V7 ~& M# T* H 氮化镓器件凭借着独特的器件特性，已经在快充领域发挥着越来越重的作用。但是传统的氮化镓器件的门极电压非常特殊，门极门槛电压极低，1V左右的门极电压就可以部分导通;门极耐压也只有6V左右。6 i4 l5 g4 E8 @0 Y1 M# k
- p( r/ @0 z# _/ H* ^, b; O% k J! c6 L( D- m. S; x
|
|
