|
|
氮化镓晶体管 % r% n2 i2 {8 B3 H; }
( x, |* k& Y7 ~: J* C 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。
9 |' a- n. R) P9 [6 I+ A% Y
' H$ x; ^$ U4 N/ P- ]- A& N4 @ 但对于氮化镓，很多人只是有个模糊的概念，对于它实现小体积大功率背后的原理、以及为何能改变多行业格局其实并不清楚。
j8 E# b4 ~& r$ T9 `2 g' p* ?! F
& Q7 ?( O! r( y& @5 B L1 a 氮化镓有何优势?$ J, @5 \, G! Z; Y ^
! o5 r6 P2 H; e
由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。
! m+ X/ H4 w I
! A: t+ o: R4 U 禁带宽度大(3.4eV)，热导率高(1.3W/cm-K)，则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强。
$ }/ X5 M: s' f* r8 L; H4 q- @- m+ [9 b3 Q+ v8 s* c k/ ?
氮化镓易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，而且GaN晶格对称性比较低，具有很强的压电性和铁电性。# J- g; Y+ {5 o# B/ ^
9 m! {' i- R9 Z) v4 A2 m% I! K% k
由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。
. m) H& ]2 T5 r' F5 ?- c U! J& o$ d8 j6 K0 C
什么是氮化镓技术原理?( m* ~! s2 Q: r: Y6 l/ T, [. L
8 ~$ M2 R9 z. V0 W5 Y$ m `7 i% p 氮化镓器件凭借着独特的器件特性，已经在快充领域发挥着越来越重的作用。但是传统的氮化镓器件的门极电压非常特殊，门极门槛电压极低，1V左右的门极电压就可以部分导通;门极耐压也只有6V左右。
+ l+ H" Q! `5 A% \' @2 B K8 p8 l9 x
& n K3 n( L: l# F5 \, d, U$ b
|
|
