找回密码
 加入怎通
查看: 93|回复: 0

英飞凌IGBT模块选型指南

[复制链接]
3065236092@qq.c 发表于 2023-12-13 13:23:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
英飞凌IGBT模块
4 ~* h( V" ^6 {, H* h6 t0 ?) J% H) U) @$ m3 j& z( [2 L9 U6 x6 f% }
  对于一个具体的应用来说,在选择IGBT功率模块时,需要考虑其在任何静态、动态、过载(如短路)的运行情况下:
! y2 H% c; s; |1 n1 l9 O: `8 k; b2 E/ P& [
  器件耐压;4 g6 V# j2 F6 K- @$ B1 H8 M; j
# W' s" K0 \; N+ p1 n3 K
  在实际的冷却条件下,电流的承受力;  p' e9 u& h: f5 S  _1 ~

/ x' _" G2 s; n& Q6 Z- l# C0 J  最适合的开关频率;
& j5 e, ^7 X0 I1 p0 f$ A! h/ K0 ~, I
  安全工作区(SOA)限制;$ p, b2 b- ]% H# A+ `5 W, w2 J2 X- n
8 ~# x" F) ]9 ?& ^/ ?- H4 S. C* |
  最高运行限制;% Q5 a7 H: O8 z3 P: O
3 I, b5 o3 H2 ]: N) ^
  封装尺寸;
* d0 r5 y5 f& A& D5 l: \% |
' |0 ?' V9 Q/ v0 ?8 v2 l  1、IGBT耐压的选择* g* s& ~$ j. c: p% c2 q# K6 R" @* u1 A4 F

$ \; c! g1 Y5 l2 d  因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下,所以,通常IGBT模块的工作电压(600V、1200V、1700V)均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载,电网波动,开关过程引起的电压尖峰等因素,通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收等设计比较好,就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。
, b* p6 @5 O7 e- i1 P) z: Z) b8 n
  下面列出根据交流电网电压或直流母线电压来选择IGBT耐压的参考表:9 h- n; j; p. B( c. _3 C# K

: ]2 ^2 F) D, a, j, J. a  2、IGBT电流的选择3 q6 r( x9 C( j# x# O$ \

# V$ o+ ~2 Y! f6 Q  _9 Q7 J) K4 Q  半导体器件具有温度敏感性,因此,IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升,IGBT模块可利用的电流就会下降,英飞凌IGBT模块是按壳温Tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流(Ic).对于英飞凌NPT-IGBT芯片来说,当Tc<25℃时,这个电流值通常是一个恒定值,但是,随着Tc的增加,这个可利用的电流值下降较快,有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的电流值来标称型号,这个需要特别注意。
& p0 q5 n) M4 v  o4 g# u0 p
# g+ G% Y4 w) v) Y  英飞凌IGBT3集电极电流Ic随壳温Tc的变化. |/ d. n" @7 W3 J& {5 h% Z
$ j" T5 h2 \6 ]1 n: X6 d- O  M" F2 ^
  需要指出的是:IGBT参数表中标出Ic是集电极最大直流电流,但这个直流电流是有条件的,首先最大结温不能超过150℃,其次,还受的安全工作区(SOA)的限制,不同的工作电压、脉冲宽度,允许通过的最大电流不同。同时,各大IGBT品牌也给出了两倍于额定值的脉冲电流,这个脉冲电流通常指脉冲宽度为1ms的单脉冲能通过的最大通态电流值,即使可重复也需要足够长的时间。如果脉冲宽度限制在10us以内,英飞凌IGBT3短路电流承受能力可高达10倍的额定电流值。这种短路也不允许经常发生,器件寿命周期内总次数不能大于1000次,两次短路时间间隔需大于1s.1 T/ c% Q8 E: S4 {" [3 t

' L6 j# F) h7 M2 H  在电力电子设备中,选择IGBT模块时,通常是先计算通过IGBT模块的电流值,然后根据电力电子设备的特点,考虑到过载、电网波动、开关尖峰等因素考虑一倍的安全余量来选择相应的IGBT模块。但严格的选择,应根据不同的应用情况,计算耗散功率,通过热阻核算具最高结温不超过规定值来选择器件。通过最高结温可选择较小的IGBT模块通过更大的电流,更加有效地利用IGBT模块。
) s  {+ |3 g1 z: S5 M
+ `8 d' V) R" ~2 R  3、根据开关频率选择不同的IGBT系列$ j9 [9 O9 Y" z; K( w5 f

2 V2 Z; J8 s/ a; Z  IGBT的损耗主要由通态损耗和开关损耗组成,不同的开关频率,开关损耗和通态损耗所占的比例有所不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降Vce(sat)
/ D5 w* w. W" z, k! A* a: ^$ j) [% s7 c
  和决定IGBT开关损耗的开关时间(ton,toff)又是一对矛盾,因此,应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。2 h! T' \& I6 o9 ?1 \
% g( I7 G1 U' k  t
  在低频如fk<10kHz时,通态损耗是主要的,这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对应英飞凌产品需先用后缀为DLC、KE3、KE4、ME4系列IGBT;6 y0 K' y1 e8 U- k9 q
. s7 l1 t# Z7 h6 j7 u
  若开关频率在8-20kHz之间,请使用英飞凌后缀为DN2、RT4、KT4的IGBT模块.
' k8 i$ |7 t( K. b3 X" f+ X, Z8 T
  当开关频率fk>20kHz时,开关损耗是主要的,通态损耗占的比例较小。最好选择英飞凌短拖尾电流KS4高频系列,KS4高频系列,硬开关工作频率可达40kHz;若是软开关,可工作在150kHz左右。7 q/ m8 w* c* c

  X  G% K9 Z, p( m1 |0 q( |1 Z  IGBT在高频下工作时,其总损耗与开关频率的关系比较大,因此,若希望IGBT工作在更高的频率,可选择更大电流的IGBT模块;另一方面,软开关主要是降低了开关损耗,可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高,IGBT的开关频率相应下降,下面列出英飞凌模块不同耐压,不同系列工作频率的参考值。
4 a% b1 p6 C/ C8 ~. o% ~/ c

" l" R8 _( s9 L- f& D
, r& D. D* U- `8 B) @
回复

使用道具 举报

    您需要登录后才可以回帖 登录 | 加入怎通

    本版积分规则

    QQ|手机版|小黑屋|网站地图|真牛社区 ( 苏ICP备2023040716号-2 )

    GMT+8, 2026-4-1 10:51 , Processed in 0.162071 second(s), 22 queries , Gzip On.

    免责声明:本站信息来自互联网,本站不对其内容真实性负责,如有侵权等情况请联系420897364#qq.com(把#换成@)删除。

    Powered by Discuz! X3.5

    快速回复 返回顶部 返回列表