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铁电存储器
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6 G8 M0 N3 Y: A3 b 铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。" j2 g+ L6 u) V* \& a
; S4 ?+ o# P! e' ~) \* P6 T 耐力
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SRAM具有无限的耐久性，可以无限地对其进行读写。FRAM具有高（数量），将应用程序限制为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳方法是通过设计知道实现是正确的。这可以通过了解有关软件使用的一些细节来实现：- Z; k) p! h, F1 N0 F1 E6 i
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1.实际使用的SPI实现是什么（SPI数据宽度和时钟速率）？设置时钟和数据宽度也会影响连续访问之间的时间。# O' O1 x" L. t7 R! |% t: n
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2.产品在一段时间内处于闲置状态还是闲置状态？不活动的时间段（例如仅会在50％的时间内使用产品的使用模型）即使在访问时间较短的情况下也可以实现产品生命周期的目标。% _8 O# {+ A5 L0 s* r3 W- T
! F. \6 W: L0 r4 d- w- X 3.是否可以使用大型顺序访问来访问关键数据结构？SPI访问允许顺序操作，从而增加地址。仅通过将顺序传输添加到这些设备访问中，就可以缓解持久性问题。6 R' ]- t( C# a
4 K/ |6 I- S3 B! S 4.对软件中单个存储器位置进行操作之间最短的时间是什么？这可能取决于所使用的数据结构（LIFO与FIFO），还是取决于存储器是否用作暂存器（两次使用之间的时间，由MCU衡量）。这还取决于实现的MCU是否将SPI接口用作外围设备或用作内存映射设备。外围设备要求每个命令的设置和拆卸时间，从而延长了两次操作到同一位置的时间。内存映射的设备可能需要测量程序的调用和返回，以确定两次堆栈操作之间最坏情况的时间。
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