|
|
铁电存储器 % X+ r: h' M; V1 G/ ]
) d# k2 U* T) h( U1 p+ x4 Q 铁电存储器是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比是具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。
4 K1 T* N# s' t1 ?* Q
- y# a) D: C c9 { 耐力
, Q `" P7 y. a7 s1 Y
$ ]9 A3 |. Y' q, N& C, E% E8 \ o SRAM具有无限的耐久性，可以无限地对其进行读写。FRAM具有高（数量），将应用程序限制为读取或写入单个字节不超过指定的周期数。缓解的最佳方法是通过设计知道实现是正确的。这可以通过了解有关软件使用的一些细节来实现：2 E( [, D) r3 t F$ E4 @. R: s
% J* g/ } p6 q7 M( H
1.实际使用的SPI实现是什么（SPI数据宽度和时钟速率）？设置时钟和数据宽度也会影响连续访问之间的时间。. K8 v; O% K/ j2 L
7 X' m, L+ z7 h3 V# {5 O4 q
2.产品在一段时间内处于闲置状态还是闲置状态？不活动的时间段（例如仅会在50％的时间内使用产品的使用模型）即使在访问时间较短的情况下也可以实现产品生命周期的目标。
. i5 G A# Q8 e% ^( W/ k1 N6 O) g1 k3 A8 u6 ~# x/ @
3.是否可以使用大型顺序访问来访问关键数据结构？SPI访问允许顺序操作，从而增加地址。仅通过将顺序传输添加到这些设备访问中，就可以缓解持久性问题。5 C6 D* P9 _0 o) \$ W
: m# H. D" u: O/ j. g
4.对软件中单个存储器位置进行操作之间最短的时间是什么？这可能取决于所使用的数据结构（LIFO与FIFO），还是取决于存储器是否用作暂存器（两次使用之间的时间，由MCU衡量）。这还取决于实现的MCU是否将SPI接口用作外围设备或用作内存映射设备。外围设备要求每个命令的设置和拆卸时间，从而延长了两次操作到同一位置的时间。内存映射的设备可能需要测量程序的调用和返回，以确定两次堆栈操作之间最坏情况的时间。$ Z2 w. D- q. d( z; B" a3 W% ^
+ e2 a3 s; i. x
8 k2 b! V8 W+ G. | |
|
