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2 I& e! M W+ d, J: N肖特基二极管 1 R, w; E9 C( r# G& L! c
普通二极管是由N型半导体和P型半导体接触制成，交界面形成PN结。/ K% f$ l" d' O* R; F) w4 r
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肖特基二极管是由N型半导体和金属接触制成，交界面形成肖特基结。. N. Y0 x4 r9 U2 N3 Q
1 ]5 y% L! t# u3 ~7 a! ~& n 肖特基结的形成主要是因为N型半导体中的电子更容易逸出进入到金属，从而在接触面N型半导体失去电子形成正离子区（电荷区），金属得到电子形成负离子区。
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内部电场方向由N区指向金属。5 ^2 G! t. O8 _; X
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当施加正向电压时，空间电荷区变窄，N型半导体的电子会穿过电荷区进入到金属，从而形成正向电流。, q7 J: l0 G+ J, J1 q6 d
* Q- ]0 m1 _5 t3 B7 X C 当施加反向电压时，空间电荷区变宽，电子无法通过空间电荷区，此时肖特基二极管处于截止状态。
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+ J* r; y' L! M 因为肖特基二极管的空间电荷区（势垒高度）比普通二极管的窄，所以肖特基二极管正向导通压降比较小，比如SS14在1A电流导通压降为0.5V左右，而硅二极管1N4007在1A电流下导通压降在0.9V左右。
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所以在一些低电压电源串接电路中我们更倾向于用肖特基二极管，以获得更小的导通压降和流过更大的电流。
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肖特基二极管反向耐压一般在100V以下，相较于普通硅二极管耐压要低不少。, F) A5 w4 Y6 H) k
# S, {, t( s' N8 q$ L$ G7 u; X 肖特基二极管的漏电流要比普通二极管的大很多，常温下普通二极管漏电流一般只有几微安，而肖特基二极管的反向漏电流在几百微安。高温环境中甚至能到几毫安。
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肖特基二极管的反向恢复时间很小，一般在10ns以下，而普通二极管一般大于1uS。
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. s' v3 w! P( [1 c' b1 a& |3 }+ G 所以肖特基二极管常用在一些高速开关的电路，比如开关电源的续流二极管就是用的肖特基二极管，如果用普通二极管，电路会工作异常。 |
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