|
|
8 t3 }" Q8 S- Q9 g; @4 e X肖特基二极管
6 P+ W" {% I& W 普通二极管是由N型半导体和P型半导体接触制成，交界面形成PN结。
- o) L1 \8 U' u; ^2 d3 r/ \. @' T6 T# a2 S4 p
肖特基二极管是由N型半导体和金属接触制成，交界面形成肖特基结。% w5 {- r9 y; W/ X
$ H9 H& ^ _ x7 g; z 肖特基结的形成主要是因为N型半导体中的电子更容易逸出进入到金属，从而在接触面N型半导体失去电子形成正离子区（电荷区），金属得到电子形成负离子区。( V7 ~3 h3 H& m9 k+ Y- _; ?! u5 M
9 N8 w9 L! e# ^1 w( s
内部电场方向由N区指向金属。
' n# d( H# `- [- C9 C
9 F; ? C2 e' k+ V( ^ 当施加正向电压时，空间电荷区变窄，N型半导体的电子会穿过电荷区进入到金属，从而形成正向电流。6 X7 T+ J. z; k* k
, w! Y5 d7 h5 I' P
当施加反向电压时，空间电荷区变宽，电子无法通过空间电荷区，此时肖特基二极管处于截止状态。8 O8 J! k: D$ p1 I
; o6 J% e4 p) T g9 s6 G 因为肖特基二极管的空间电荷区（势垒高度）比普通二极管的窄，所以肖特基二极管正向导通压降比较小，比如SS14在1A电流导通压降为0.5V左右，而硅二极管1N4007在1A电流下导通压降在0.9V左右。, W5 l% x% n' n
& e& J2 [$ } @5 ?, J `* k
所以在一些低电压电源串接电路中我们更倾向于用肖特基二极管，以获得更小的导通压降和流过更大的电流。( ]4 J& w, [. P7 }4 O6 G+ O3 V
! g9 p$ J5 Q) |2 m( a
肖特基二极管反向耐压一般在100V以下，相较于普通硅二极管耐压要低不少。
+ e6 O% N- H! i+ E2 i4 c5 u5 r
肖特基二极管的漏电流要比普通二极管的大很多，常温下普通二极管漏电流一般只有几微安，而肖特基二极管的反向漏电流在几百微安。高温环境中甚至能到几毫安。( O! Y5 }+ Y/ i2 f( B
8 z1 x# n' |" E% }7 V 肖特基二极管的反向恢复时间很小，一般在10ns以下，而普通二极管一般大于1uS。
7 s# J/ \7 T5 A" M9 V; h$ s: D+ z# O) }
所以肖特基二极管常用在一些高速开关的电路，比如开关电源的续流二极管就是用的肖特基二极管，如果用普通二极管，电路会工作异常。 |
|
