英飞凌大学生智能车大赛 : o' Y' A. I3 P' b2025年2月12日,英飞凌科技奥地利有限公司宣布其拥有全新专利的半导体器件——具有集成MOS选通的二极管或肖特基二极管。这项专利的授权公告号为CN111223857B,申请日期则可追溯至2019年11月。从此,英飞凌在半导体领域的技术突破不仅将提升器件的性能,同时也将加速新能源和电动汽车等行业的革命。8 `* \0 k& _# n: R9 L5 p
9 q. ~- U) q! g$ U- i4 ~% j; o+ PMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)选通技术的引入,解决了传统二极管在开关速度和能效上的不足。MOS寻找更高的开关频率和更低的导通电阻,为电力电子设备在小型化和轻量化的同时,提升了运行效率。这对于快速发展的电子产品制造商来说,无疑是一个技术助推器,能够在严峻的市场竞争中保持业绩的领先。" w+ {6 `, U9 Z5 a9 T
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与传统的二极管相比,MO选通技术具备这几方面的显著优势:首先,MOS选通二极管的正向压降明显降低,这意味着在负载工作状态下能更有效地减少能量损耗;其次,通过集成化设计,该器件能够降低系统复杂性,缩减 PCB(印刷电路板)面积,从而在商品的成本控制上带来积极影响;此外,它们在高频开关应用中的表现尤为突出,可以满足现代电力转换应用的苛刻要求。0 S1 r M+ {/ U7 j) E" ^5 W l