嵌入式存储有哪些特性？

　　威固认为嵌入式存储的低工作电压特性使其非常适用于IoT应用：
& ~% _2 M' b% C6 a: x7 p3 d　　嵌入式存储有哪些特性？
　　IoT应用需要低电压读/写操作。即使编程/擦除操作需要高电压，该过程对用户来说也是透明的，这是因为闪存宏从用户接收内核/IO电压并使用内部电荷泵将其升高到编程和擦除操作所需的高电压。因此，可以立即将嵌入式存储用于低功耗IoT应用。
　　嵌入式存储支持EEPROM功能：
　　传统的EEPROM架构支持字节写操作，因而常常被需要频繁更新数据的应用程序所用。通常，嵌入式存储是按一定规则排列的一组存储单元，又称为扇区。扇区需要在写入新数据前完全擦除。幸运的是，我们可以使用SRAM缓冲器在整个嵌入式存储区的一小部分上模拟EEPROM功能，既简单并且对用户透明。
7 A( O0 o# ~3 P( E1 d0 S0 T) k　　这经常让人们误认为嵌入式存储不能满足EEPROM耐用性要求。然而，EEPROM的耐擦写次数通常可达到100万次。过去，大多数MCU和智能卡应用所要求的耐擦写次数均低于10万次，但近来诸如SIM卡等应用的要求越发严格，耐擦写次数需达到50万次（典型值）。为了支持这一要求，我们通过第三代SuperFlash技术（ESF3）提供比前两代技术更好的耐擦写特性，并且大量的数据显示，第三代技术能够满足这些应用所要求的50万次耐擦写次数。
# }/ k0 `3 M6 U/ r+ L( m　　嵌入式存储是可以扩展的  ：
8 I% n0 s% _- ~  K　　十年以前，纷纷流传嵌入式存储无法突破90nm以下节点，理由是存储单元扩展面临诸多困难和挑战。可如今嵌入式存储已发展到28nm级，因此证明上述看法是错误的。现在面临的挑战是将嵌入式存储迈入FinFet工艺时代。不过，诸如Samsung和GLOBALFOUNDRIES等代工厂正专注于平面22 nm技术节点（甚至更小）的FDSOI技术，可能会使嵌入式存储的使用寿命比28nm节点更长。

这个思路很新颖，打开了新世界的大门，谢谢分享

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