ESD保护
% l7 O7 o6 e! j8 l' w9 P随着全球气候问题越发严峻，助力社会实现可持续发展转型迫在眉睫。而低碳化和数字化的半导体技术正是助力社会转型的重要工具。英飞凌作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，正不断通过自身先进的半导体技术助力社会转型。而以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力，可帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。
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近日在上海慕尼黑电子展期间，英飞凌举办一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮先生，向维科网分享了英飞凌发布的最新一代氮化镓产品系列，并介绍其优势和适用领域。
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英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛
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程文涛表示，在2023年英飞凌成功收购GaN Systems之后，英飞凌的氮化镓产品线得到了显著扩展。从原来的两种产品——分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power），扩展至五种创新产品，以满足不同应用场景的需求。
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这五类新品分别为：CoolGaNTM Transistor、CoolGaNTM BDS、CoolGaNTM Smart Sense、CoolGaNTM Drive和CoolGaNTM Control。: e. d9 e" o8 j) B3 B
% H/ B; ~4 }' K u9 ~CoolGaN? Transistor：以其高效率、快速开关速度和多样化的封装选项而著称，特别适用于高功率密度和高频率的应用场景。英飞凌科技近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM晶体管系列产品，新品完全采用 8 英寸工艺制造，这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到 40 V 至 700 V 电压，进一步推动数字化和低碳化进程。+ F- Y' i, a, a% S- Q* \
& L( s4 z' U: a, h) ?% L& B6 bCoolGaNTM BDS：这是一款Game Changing的产品，其拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。& }( R0 Q6 C3 V
6 \5 E4 Z9 U1 o% A: n% q* [ |CoolGaNTM Smart Sense：集成了无损电流检测功能，简化了设计并降低了功率损耗。同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。并且其具有2 kV静电放电耐受能力，可连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间，具有极高的兼容性。
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p; U, \* u6 a! L0 iCoolGaNTM Drive：类似于集成的驱动器器件。氮化镓器件的门极驱动对于市场和客户来讲存在诸多难点，尤其是以电压型驱动技术为代表的技术路线依然有应用挑战。对此，英飞凌把驱动器跟GaN 晶体管集成在一个封装中，在高效驱动相应器件的同时，又能够安全可靠的使用该器件。
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在媒体会后的提问环节，笔者向英飞凌提问了目前英飞凌的氮化镓器件采用什么衬底。
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英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮先生" `* s0 T4 ^+ e. x# i
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英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮先生表示：“目前英飞凌的氮化镓全部基于硅。而我们一些友商的 衬底也用到蓝宝石，因为蓝宝石热膨胀系数和氮化镓更接近，比硅更好一些。从这点考虑，比如说它的温度循环会更好处理一些。当然，蓝宝石比硅还是稍微贵一些。其实还可以做在碳化硅上，基于碳化硅衬底的氮化镓，这会带来成本问题，因为碳化硅整个加工的成本还是比较高，如果基于碳化硅基衬底的GaN 晶体管，整个成本会比硅或者蓝宝石更贵一些。但碳化硅热膨胀系数就会更接近于氮化镓，整个性能会更好一些。所以目前业界主流的氮化镓功率器件都是基于硅基，当然少部分是用蓝宝石。但未来是不是还是这样很难说，技术的发展以及原材料成本的降低，也许未来可能蓝宝石是不是作为主流，这很难说。但至少这是一种可能性。”
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由此可以了解到，英飞凌在研发和制造自身半导体器件时，已经拥有很成熟的工艺流程。通过本次活动也可以看到英飞凌在氮化镓领域的领导地位，期望英飞凌在未来能够不断通过自身先进的半导体技术，助力绿色能源发展，助力社会转型。 |
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