- r1 M9 T4 @' N% { 晶圆制备：从原始的硅材料加工成晶圆(Wafer)，一片晶圆上可以制造出多颗闪存芯片。# P' {) [$ _1 v' D/ G: i4 `2 X h& \
1 o( I b: O& C 光刻：使用精密的光罩和感光制程，在晶圆上涂覆光阻，然后通过光刻机将光阻图案转移到晶圆上，形成电路的图案。 / h. ^! ], n z' _. W, G1 b$ y+ U/ a. i2 u
蚀刻：使用化学蚀刻技术，将晶圆上未被光刻保护的部分进行蚀刻，形成电路的凹槽和结构。 . @' o( w ?0 E: F % z* F1 f( q. N, I4 Z% n, X6 E 金属蒸镀：在晶圆上进行金属蒸镀，形成电路的导线和连接器。在工业闪存的生产工艺中，金属蒸镀起着重要的作用。金属蒸镀是一种将金属蒸发并使其附着在素材表面形成薄膜的方法。它可以通过物理蒸镀(PVD)或化学蒸镀(CVD)来实现。金属蒸镀在工业闪存的生产中具有以下作用：形成保护层、提高导电性、改善信号传输、增加反射性、提升外观质感。! x7 d! Q4 \4 q- u7 d/ U6 U
S# N' h! \! Z m; Y( v$ {; j 注入：将闪存芯片的基础结构注入浮栅晶体管和其他必要的元件。 $ u9 m0 I) `/ L2 Q0 b* f 7 \% E9 r+ Y) d- I7 h+ | 封装和测试：将单个芯片封装成完整的闪存颗粒，然后进行功能测试和质量检验。* B, I! C# H1 c; y: Z0 r1 }5 U
* F4 p$ ?3 R+ C' O2 U7 f0 c' u
制造成品：将封装好的闪存颗粒组装到闪存模块或设备中，形成最终的工业闪存产品。 ; G! M' W" c! B# b9 _2 M2 K2 M1 ]3 g) \2 v" z
